T810H-6T
|
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
||
| Название: | T810H-6T | ||
| Описание: | Триаки Sensitive 8 A High Temperature | ||
| Производитель: | STMicroelectronics | ||
| Спецификация: | 219067.pdf | ||
| Детальное описание компонента T810H-6T | |||
| Номинальное периодическое напряжение в закрытом состоянии (VDRM) | 600 V | Среднеквадратичный ток в открытом состоянии (It RMS) | 8 A |
|---|---|---|---|
| Ток утечки в закрытом состоянии @ VDRM IDRM | 5 uA | Отпирающее напряжение управления (Vgt) | 1 V |
| Отпирающий ток управления (Igt) | 10 mA | Удерживающий ток (Ih, макс.) | 25 mA |
| Падение напряжения в прямом направлении | 1.5 V | Вид монтажа | Through Hole |
| Упаковка / блок | TO-220AB | Упаковка | Tube |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C | Минимальная рабочая температура | - 40 C |
| Повторяющееся максимальное прямое запирающее напряжение | 600 V | ||
Популярные товары:
| Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MAX1531EVKIT | Maxim Integrated Products | Средства разработки интегральных схем (ИС) управления питанием MAX1530/1 Eval Kit | 9740919.pdf |
|
|
|
|
B522FS-2 | Crydom | Дискретные полупроводниковые модули 25A 240VAC ISO QC MOD DIODE SCR | 4266609.pdf |
|
|
|
|
FS100R12KE3_B3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 100A | --- |
|
|
 |
NSBC114TDXV6T5G | ON Semiconductor | Transistors Switching (Resistor Biased) 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP | --- |
|
|
|
|
MAX932ESA | Maxim Integrated Products | ИС, компараторы Comparator w/2% Reference | 9541439.pdf |
|