NP3100SAMCT3G

NP3100SAMCT3G
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: NP3100SAMCT3G
Описание: Сидаки LOW CAP TSPD SURGE DEVICE
Производитель: ON Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента NP3100SAMCT3G
Напряжение включения (VBO) 350 V Ток включения (IBO), макс. 800 mA
Номинальное периодическое напряжение в закрытом состоянии (VDRM) 275 V Среднеквадратичный ток в открытом состоянии (It RMS) 2.2 A
Ток утечки в закрытом состоянии @ VDRM IDRM 5 uA Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок SMB Упаковка Reel

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
OMNI095 OMNI095 RFM Антенны 900 MHz 5dBi Omnidirectional Antn 260728.pdf
SAEEA832MBA0F00R14 SAEEA832MBA0F00R14 --- Термисторы – отрицательный температурный коэффициент ---
SML-H150E5SIDNCTR SML-H150E5SIDNCTR --- Светодиодная индикация ---
V56MA2B V56MA2B --- Варисторы ---
162GB16F1608SF416 162GB16F1608SF416 --- Цилиндрические разъемы ---