BT151S-650R /T3
|
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
||
| Название: | BT151S-650R /T3 | ||
| Описание: | Комплектные тиристорные устройства (SCR) TAPE13 SCR | ||
| Производитель: | NXP Semiconductors | ||
| Спецификация: | |||
| Детальное описание компонента BT151S-650R /T3 | |||
| Ток включения (IBO), макс. | 110 A | Номинальное периодическое напряжение в закрытом состоянии (VDRM) | 650 V |
|---|---|---|---|
| Ток утечки в закрытом состоянии @ VDRM IDRM | 0.5 mA | Падение напряжения в прямом направлении | 1.75 V |
| Отпирающее напряжение управления (Vgt) | 1.5 V | Максимальное обратное напряжение затвора | 5 V |
| Отпирающий ток управления (Igt) | 15 mA | Удерживающий ток (Ih, макс.) | 20 mA |
| Вид монтажа | SMD/SMT | Упаковка / блок | SOT-428 |
| Упаковка | Reel - 13 in | Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Другие названия товара № | BT151S-650R,118 | ||
Популярные товары:
| Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DTA114EETL | ROHM Semiconductor | Transistors Switching (Resistor Biased) PNP 50V 50MA SOT-416 | 9515576.pdf9515577.pdf |
|
|
 |
THS4121CDGNR | Texas Instruments | Специальные усилители Fully Differential CMOS | 2145519.pdf |
|
|
|
|
TLV7256IDDURG4 | Texas Instruments | ИС, компараторы Dual Comp | 9508923.pdf |
|
|
|
|
M27V322-100B1 | --- | Микросхемы памяти | --- |
|
|
|
|
MAX4840EXT+T | --- | Схемы управления питанием | --- |
|