MCR12DSNT4G

MCR12DSNT4G
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: MCR12DSNT4G
Описание: Комплектные тиристорные устройства (SCR) 800V 12A
Производитель: ON Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента MCR12DSNT4G
Ток включения (IBO), макс. 100 A Номинальное периодическое напряжение в закрытом состоянии (VDRM) 800 V
Ток утечки в закрытом состоянии @ VDRM IDRM 0.01 mA Падение напряжения в прямом направлении 1.9 V
Отпирающее напряжение управления (Vgt) 1 V Максимальное обратное напряжение затвора 18 V
Отпирающий ток управления (Igt) 0.2 mA Удерживающий ток (Ih, макс.) 6 mA
Вид монтажа SMD/SMT Упаковка / блок TO-252-3 (DPAK)
Упаковка Reel Максимальная рабочая температура + 110 C
Минимальная рабочая температура - 40 C Размер фабричной упаковки 2500

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
DM1800-434MN DM1800-434MN RFM Радиочастотные модули DM1800 Field Node 433.92 MHz 2132687.pdf
TRS232DG4 TRS232DG4 Texas Instruments ИС, интерфейс RS-232 Dual RS232 Drvr/Rcvr 5391010.pdf
74HC423D 74HC423D NXP Semiconductors Ждущий мультивибратор DUAL MONO RETRIG ---
333-012-500-201 333-012-500-201 --- Прямоугольные разъемы ---
6102042 6102042 --- Электронное оборудование ---