S6010DS3RP
|
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
||
| Название: | S6010DS3RP | ||
| Описание: | Комплектные тиристорные устройства (SCR) 10A 600V Sensing | ||
| Производитель: | Littelfuse | ||
| Спецификация: | 156605.pdf | ||
| Детальное описание компонента S6010DS3RP | |||
| Ток включения (IBO), макс. | 100 A | Номинальное периодическое напряжение в закрытом состоянии (VDRM) | 600 V |
|---|---|---|---|
| Ток утечки в закрытом состоянии @ VDRM IDRM | 0.005 mA | Среднеквадратичный ток в открытом состоянии (It RMS) | 10 A |
| Падение напряжения в прямом направлении | 1.6 V | Отпирающее напряжение управления (Vgt) | 0.8 V |
| Максимальное обратное напряжение затвора | 6 V | Отпирающий ток управления (Igt) | 500 uA |
| Удерживающий ток (Ih, макс.) | 8 mA | Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка / блок | TO-252 | Упаковка | Reel |
| Максимальная рабочая температура | + 110 C | Минимальная рабочая температура | - 40 C |
| Размер фабричной упаковки | 2500 | ||
Популярные товары:
| Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STMPRIMER-EXT | STMicroelectronics | Комплектующие для процессоров Inertial Sensor Ext Primer Board | --- |
|
|
 |
TZ600N14KOF | Infineon Technologies | Дискретные полупроводниковые модули 1200V 1050A SINGLE | --- |
|
|
 |
MRF7S21150HSR5 | Freescale Semiconductor | РЧ транзисторы, МОП-структура HV7 2.1GHZ 150W NI780HS | 5512613.pdf |
|
|
|
|
FJX3001RTF_Q | Fairchild Semiconductor | Transistors Switching (Resistor Biased) NPN Si Transistor Epitaxial | --- |
|
|
|
|
REF01EP+ | --- | Схемы управления питанием | --- |
|