2N5062G
|
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
||
| Название: | 2N5062G | ||
| Описание: | Комплектные тиристорные устройства (SCR) 100V 800mA Thyristor | ||
| Производитель: | ON Semiconductor | ||
| Спецификация: | |||
| Детальное описание компонента 2N5062G | |||
| Ток включения (IBO), макс. | 10 A | Номинальное периодическое напряжение в закрытом состоянии (VDRM) | 100 V |
|---|---|---|---|
| Ток утечки в закрытом состоянии @ VDRM IDRM | 0.01 mA | Падение напряжения в прямом направлении | 1.7 V |
| Отпирающее напряжение управления (Vgt) | 0.8 V | Максимальное обратное напряжение затвора | 5 V |
| Отпирающий ток управления (Igt) | 0.2 mA | Удерживающий ток (Ih, макс.) | 5 mA |
| Вид монтажа | Through Hole | Упаковка / блок | TO-92-3 (TO-226) |
| Упаковка | Bulk | Максимальная рабочая температура | + 110 C |
| Минимальная рабочая температура | - 40 C | Размер фабричной упаковки | 5000 |
Популярные товары:
| Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MAX4073FAXK+T | Maxim Integrated Products | Усилители считывания тока Voltage-Output High Side Crnt-Sense Amp | 475935.pdf |
|
|
 |
DAC8565ICPWRG4 | Texas Instruments | ЦАП (цифро-аналоговые преобразователи) 16B 4Ch Ultra Lo glitch | 2413334.pdf |
|
|
 |
CAT28C256T13A-12 | --- | Микросхемы памяти | --- |
|
|
|
|
Q6P1BXXR12 | --- | Светодиодная индикация | --- |
|
|
|
|
ITR-20005 | --- | Фотопрерыватели | --- |
|