2N6508G

2N6508G
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: 2N6508G
Описание: Комплектные тиристорные устройства (SCR) 600V 25A
Производитель: ON Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента 2N6508G
Ток включения (IBO), макс. 250 A Номинальное периодическое напряжение в закрытом состоянии (VDRM) 600 V
Ток утечки в закрытом состоянии @ VDRM IDRM 0.01 mA Падение напряжения в прямом направлении 1.8 V
Отпирающее напряжение управления (Vgt) 1.5 V Отпирающий ток управления (Igt) 30 mA
Удерживающий ток (Ih, макс.) 40 mA Вид монтажа Through Hole
Упаковка / блок TO-220-3 Упаковка Bulk
Максимальная рабочая температура + 125 C Минимальная рабочая температура - 40 C
Размер фабричной упаковки 500

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
BD3872FS-E2 BD3872FS-E2 ROHM Semiconductor Усилители звука AUDIO SOUND PROCSSR 32PIN 3861518.pdf
74HC10DB-T 74HC10DB-T NXP Semiconductors Вентили (И / И НЕ / ИЛИ / ИЛИ НЕ) TRIPLE 3-INPUT NAND GATE 8401861.pdf
CAT25C33V-1.8 CAT25C33V-1.8 --- Микросхемы памяти ---
MAX16904RAUE50/V+T MAX16904RAUE50/V+T --- Схемы управления питанием ---
CMD9322SRUGCTR8 CMD9322SRUGCTR8 --- Светодиодная индикация ---