ST303C12CFK1L
|
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
||
| Название: | ST303C12CFK1L | ||
| Описание: | Модули КТУ (SCR) 620 Amp 1200 Volt 1180 Amp IT(RMS) | ||
| Производитель: | Vishay Semiconductors | ||
| Спецификация: | |||
| Детальное описание компонента ST303C12CFK1L | |||
| Номинальное периодическое напряжение в закрытом состоянии (VDRM) | 1200 V | Ток утечки в закрытом состоянии @ VDRM IDRM | 50 mA |
|---|---|---|---|
| Удерживающий ток (Ih, макс.) | 600 mA | Максимальная рабочая температура | + 125 C |
| Минимальная рабочая температура | - 40 C | Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка / блок | TO-200AB | Ток включения (IBO), макс. | 8320 A |
| Отпирающий ток управления (Igt) | 200 mA | Отпирающее напряжение управления (Vgt) | 3 V |
| Максимальное обратное напряжение затвора | 5 V | Упаковка | Bulk |
| Повторяющееся максимальное прямое запирающее напряжение | 1200 V | Размер фабричной упаковки | 12 |
Популярные товары:
| Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DT425N18KOF | Infineon Technologies | Дискретные полупроводниковые модули 1800V 800A | --- |
|
|
|
|
2PS06012S42G28187 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1x 366A AC at 400V AC Forced Air | --- |
|
|
|
|
MMBT6427_Q | Fairchild Semiconductor | Transistors Darlington NPN Transistor Darlington | --- |
|
|
|
|
DS1210N+ | --- | Микросхемы памяти | --- |
|
|
|
|
MF1S5030DA3,118 | --- | RF Semiconductors | --- |
|