BAR 88-02V E6327
|
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
||
| Название: | BAR 88-02V E6327 | ||
| Описание: | Регулируемые резистивные диоды Silicon PIN Diode | ||
| Производитель: | Infineon Technologies | ||
| Спецификация: | |||
| Детальное описание компонента BAR 88-02V E6327 | |||
| Конфигурация | Single | Обратное напряжение | 80 V |
|---|---|---|---|
| Непрерывный ток в прямом направлении | 100 mA | Частотный диапазон | UHF |
| Упаковка / блок | SC-79 | Упаковка | Reel |
| Время жизни носителей | 0.5 us | Падение напряжения в прямом направлении | 1.2 V |
| Максимальная ёмкость диода | 0.4 pF at 1 V | Максимальная рабочая температура | + 125 C |
| Максимальное последовательное сопротивление @ максимальная ПЧ | 0.6 Ohms at 10 mA | Максимальное последовательное сопротивление @ минимальная ПЧ | 2.5 Ohms at 1 mA |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C | Вид монтажа | SMD/SMT |
| Рассеяние мощности | 250 mW | Размер фабричной упаковки | 15000 |
| Другие названия товара № | BAR8802VE6327XT | ||
Популярные товары:
| Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MOP-AL162A-BTTY-25E-3IN | Matrix Orbital | Модули сивольных ЖК-дисплеев и комплектующие 16x2 Ylw Txt Blk B/G Parallel LCD | 5311927.pdf |
|
|
|
|
BSM300GA120DLCS_B7 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 300A | --- |
|
|
|
|
CAT93C86LA | --- | Микросхемы памяти | --- |
|
|
|
|
M29DW324DT70ZA6 | --- | Микросхемы памяти | --- |
|
|
|
|
AS7C31025C-12JINTR | --- | Микросхемы памяти | --- |
|