BAT 18-05 E6327
|
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
||
| Название: | BAT 18-05 E6327 | ||
| Описание: | Регулируемые резистивные диоды Silicon RF Switching Diode | ||
| Производитель: | Infineon Technologies | ||
| Спецификация: | |||
| Детальное описание компонента BAT 18-05 E6327 | |||
| Конфигурация | Dual Common Cathode | Обратное напряжение | 35 V |
|---|---|---|---|
| Непрерывный ток в прямом направлении | 100 mA | Частотный диапазон | VHF, UHF |
| Упаковка / блок | SOT-23 | Упаковка | Reel |
| Время жизни носителей | 0.12 us | Падение напряжения в прямом направлении | 1.2 V |
| Максимальная ёмкость диода | 1 pF at 20 V | Максимальная рабочая температура | + 125 C |
| Максимальное последовательное сопротивление @ максимальная ПЧ | 0.7 Ohms at 5 mA | Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Вид монтажа | SMD/SMT | Другие названия товара № | BAT1805E6327HTSA1 BAT1805E6327HTSA1, BAT1805E6327XT SP000010291, |
Популярные товары:
| Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FJX4005RTF | Fairchild Semiconductor | Transistors Switching (Resistor Biased) PNP Si Transistor Epitaxial | --- |
|
|
 |
THS4062IDG4 | Texas Instruments | Быстродействующие операционные усилители Dual 180MHz | --- |
|
|
|
|
MAX1821EUB-T | --- | Схемы управления питанием | --- |
|
|
|
|
EC1019C-G | --- | RF Semiconductors | --- |
|
|
|
|
DG417LDY+ | --- | Коммутационные микросхемы | --- |
|