BAP65-03,115
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
|||
Название: | BAP65-03,115 | ||
Описание: | Регулируемые резистивные диоды PIN 30V 100MA | ||
Производитель: | NXP Semiconductors | ||
Спецификация: | 9379163.pdf | ||
Детальное описание компонента BAP65-03,115 | |||
Конфигурация | Single | Обратное напряжение | 30 V |
---|---|---|---|
Непрерывный ток в прямом направлении | 100 mA | Упаковка / блок | SOD-323 |
Упаковка | Reel | Время жизни носителей | 0.17 us |
Падение напряжения в прямом направлении | 1.1 V at 50 mA | Максимальная ёмкость диода | 0.8 pF at 3 V |
Максимальная рабочая температура | + 150 C | Максимальное последовательное сопротивление @ максимальная ПЧ | 0.9 Ohms at 10 mA |
Максимальное последовательное сопротивление @ минимальная ПЧ | 0.95 Ohms at 5 mA | Минимальная рабочая температура | - 65 C |
Вид монтажа | SMD/SMT | Рассеяние мощности | 500 mW |
Размер фабричной упаковки | 3000 | Другие названия товара № | BAP65-03 T/R |
Популярные товары:
Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
---|---|---|---|---|---|---|
AT91EB55 | Atmel | Макетные платы и комплекты - ARM EVAL KIT 55-SERIES | --- |
|
||
EC1019B-PCB | TriQuint Semiconductor | Радиочастотные средства разработки 700-2400MHz Eval Brd 20.4dB Gain | 927164.pdf |
|
||
MWI30-06A7T | Ixys | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 30 Amps 600V | --- |
|
||
IXGH35N120B | Ixys | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 70 Amps 1200V 3.3 Rds | 9337593.pdf |
|
||
AMC7820Y/250G4 | Texas Instruments | Системы преобразования данных Analog Monitoring & Control Circuitry | 4262126.pdf |
|