2N5114
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
|||
Название: | 2N5114 | ||
Описание: | JFET 30V 10pA | ||
Производитель: | Vishay/Siliconix | ||
Спецификация: | |||
Детальное описание компонента 2N5114 | |||
Полярность транзистора | P-Channel | Ток стока (Idss при напряжении затвор-исток Vgs=0) | - 30 mA to - 90 mA |
---|---|---|---|
Напряжение пробоя затвор-исток | 30 V | Конфигурация | Single |
Вид монтажа | Through Hole | Упаковка / блок | TO-18 |
Упаковка | Bulk | Крутизна в прямом направлении, gFS (макс./мин.) | 0.0045 S |
Напряжение отсечки затвор-исток | 10 V | Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. | 75 Ohms |
Размер фабричной упаковки | 200 |
Популярные товары:
Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
---|---|---|---|---|---|---|
NSBC114YPDXV6T5G | ON Semiconductor | Transistors Switching (Resistor Biased) 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP | --- |
|
||
MAX4904EBL+T | --- | Коммутационные микросхемы | --- |
|
||
553-0313-300F | --- | Светодиодная индикация | --- |
|
||
ELM 1-210 | --- | Светодиодная индикация | --- |
|
||
Y92E-G08L-T | --- | Оптические детекторы и датчики | --- |
|