J112RL1G
|
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
||
| Название: | J112RL1G | ||
| Описание: | JFET 35V 10mA | ||
| Производитель: | ON Semiconductor | ||
| Спецификация: | |||
| Детальное описание компонента J112RL1G | |||
| Полярность транзистора | N-Channel | Ток стока (Idss при напряжении затвор-исток Vgs=0) | 5 mA |
|---|---|---|---|
| Напряжение пробоя затвор-исток | 35 V | Конфигурация | Single |
| Вид монтажа | Through Hole | Упаковка / блок | TO-92-3 |
| Упаковка | Reel | Размер фабричной упаковки | 2000 |
Популярные товары:
| Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BAS35 T/R | NXP Semiconductors | Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) DIODE SW TAPE-7 | 4061380.pdf |
|
|
 |
MX7537JP+T | Maxim Integrated Products | ЦАП (цифро-аналоговые преобразователи) 12-Bit 2Ch Precision DAC | 2503133.pdf |
|
|
|
|
24AA014T-I/MS | --- | Микросхемы памяти | --- |
|
|
|
|
CY62167DV18LL-55BVXIT | --- | Микросхемы памяти | --- |
|
|
|
|
S-80137ANPF-JCWTFG | --- | Схемы управления питанием | --- |
|