2N5639G
|
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
||
| Название: | 2N5639G | ||
| Описание: | JFET 30V 10mA | ||
| Производитель: | ON Semiconductor | ||
| Спецификация: | |||
| Детальное описание компонента 2N5639G | |||
| Полярность транзистора | N-Channel | Напряжение сток-исток (VDS) | 30 V |
|---|---|---|---|
| Ток стока (Idss при напряжении затвор-исток Vgs=0) | 25 mA | Напряжение пробоя затвор-исток | 35 V |
| Конфигурация | Single | Вид монтажа | Through Hole |
| Упаковка / блок | TO-92-3 | Упаковка | Bulk |
| Размер фабричной упаковки | 1000 | ||
Популярные товары:
| Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CAT5114PI-10 | Catalyst (ON Semiconductor) | ИС, цифровые потенциометры Ind Temp 10K Up/Dwn | 5253302.pdf |
|
|
 |
SN74AHCT595DRG4 | Texas Instruments | Регистры сдвига счетчика 8B Shift Registers | 2194141.pdf |
|
|
 |
IS61NVP25636A-200TQLI | --- | Микросхемы памяти | --- |
|
|
|
|
INA196AIDBVTG4 | --- | Схемы управления питанием | --- |
|
|
|
|
DS1817R-10-U+ | --- | Схемы управления питанием | --- |
|