2N4338
|
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
||
| Название: | 2N4338 | ||
| Описание: | JFET 50V 0.6mA | ||
| Производитель: | Vishay/Siliconix | ||
| Спецификация: | |||
| Детальное описание компонента 2N4338 | |||
| Полярность транзистора | N-Channel | Ток стока (Idss при напряжении затвор-исток Vgs=0) | 0.6 uA |
|---|---|---|---|
| Напряжение пробоя затвор-исток | - 50 V | Конфигурация | Single |
| Вид монтажа | SMD/SMT | Упаковка / блок | TO-206AA |
| Упаковка | Bulk | Крутизна в прямом направлении, gFS (макс./мин.) | 0.0006 S |
| Напряжение отсечки затвор-исток | - 1 V | Сопротивление сток-исток (RDS), вкл. | 2.5 K Ohms |
| Размер фабричной упаковки | 200 | ||
Популярные товары:
| Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RN4988FS(TPL3) | Toshiba | Transistors Switching (Resistor Biased) 22K x 47Kohms Polarity=NPN+PNP | 9514454.pdf |
|
|
|
|
MAX3089ESD | Maxim Integrated Products | ИС интерфейса RS-422/RS-485 | 5955604.pdf |
|
|
|
|
25LC160DT-E/MS | --- | Микросхемы памяти | --- |
|
|
|
|
551-0204F | --- | Светодиодная индикация | --- |
|
|
|
|
DG417DY-E3 | --- | Коммутационные микросхемы | --- |
|