2N5116
|
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
||
| Название: | 2N5116 | ||
| Описание: | JFET P-Ch Junc FET | ||
| Производитель: | Central Semiconductor | ||
| Спецификация: | |||
| Детальное описание компонента 2N5116 | |||
| Полярность транзистора | N-Channel | Напряжение пробоя затвор-исток | 30 V |
|---|---|---|---|
| Конфигурация | Single | Вид монтажа | Through Hole |
| Упаковка / блок | TO-18 | Размер фабричной упаковки | 2000 |
Популярные товары:
| Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
LMH1980MMEVAL/NOPB | National Semiconductor (TI) | Средства разработки интегральных схем (ИС) видео LMH1980MM EVAL BOARD | 9750395.pdf |
|
|
 |
PTFA192001E V4 | Infineon Technologies | РЧ транзисторы, МОП-структура RFP-LDMOS GOLDMOS 8 | --- |
|
|
 |
MAX2135AETN+ | --- | RF Semiconductors | --- |
|
|
|
|
NTSD0XR502FE1B0 | --- | Термисторы – отрицательный температурный коэффициент | --- |
|
|
|
|
XRCWHT-L1-R250-00808 | --- | Светодиоды высокой мощности | --- |
|