IXGY2N120
|
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
||
| Название: | IXGY2N120 | ||
| Описание: | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 2 Amps 1200V 3 Rds | ||
| Производитель: | Ixys | ||
| Спецификация: | 9353010.pdf | ||
| Детальное описание компонента IXGY2N120 | |||
| Конфигурация | Single | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V |
|---|---|---|---|
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 3 V | Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C | Упаковка / блок | TO-252AA-3 |
| Упаковка | Tube | Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 5 A |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C | Вид монтажа | SMD/SMT |
| Размер фабричной упаковки | 50 | ||
Популярные товары:
| Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SN74HC251D | Texas Instruments | Кодеры, декодеры, мультиплексоры и демультиплексоры Tri-State Data | 2706678.pdf2706699.pdf |
|
|
 |
74AUP1G175GM,132 | NXP Semiconductors | Триггеры Flip Flop D-Type Pos-Edge 1-Elem 6Pin | 7819928.pdf |
|
|
 |
SN74LV20ANSR | Texas Instruments | Вентили (И / И НЕ / ИЛИ / ИЛИ НЕ) Dual 4-Input Positive-NAND Gate | 8141879.pdf |
|
|
|
|
SST85LD1002U-60-RI-LBTE | --- | Микросхемы памяти | --- |
|
|
|
|
EEE-HA1H4R7R | --- | Конденсаторы | --- |
|