IXSN35N100U1
Кол-во:
Заказать Под заказ 2-3 недели
|
|||
Название: | IXSN35N100U1 | ||
Описание: | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 35 Amps 1000V | ||
Производитель: | Ixys | ||
Спецификация: | |||
Цены: | Розн.13$ | ||
Детальное описание компонента IXSN35N100U1 | |||
Конфигурация | Single Dual Emitter | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1000 V |
---|---|---|---|
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V | Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Упаковка / блок | SOT-227B-4 | Упаковка | Tube |
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 38 A | Минимальная рабочая температура | - 40 C |
Вид монтажа | SMD/SMT | Размер фабричной упаковки | 10 |
order_2_3week | 3 |
Популярные товары:
Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
---|---|---|---|---|---|---|
MAX7042EVKIT-433 | Maxim Integrated Products | Радиочастотные средства разработки | 1082964.pdf |
|
||
MAX5442ACUB+T | Maxim Integrated Products | ЦАП (цифро-аналоговые преобразователи) 16-Bit Precision DAC | 2685004.pdf |
|
||
OP145D | Optek | Инфракрасные излучатели Infrared 935nm | --- |
|
||
TRS3221IDBRG4 | Texas Instruments | ИС, интерфейс RS-232 3V-5.5V Sgl-Channel RS232 Line Drvr/Rcvr | 5428541.pdf |
|
||
S29JL032H70BFI310 | --- | Микросхемы памяти | --- |
|