IXSN35N100U1

IXSN35N100U1
Кол-во:
Заказать
Под заказ 2-3 недели
Название: IXSN35N100U1
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 35 Amps 1000V
Производитель: Ixys
Спецификация:
Цены: Розн.13$
Детальное описание компонента IXSN35N100U1
Конфигурация Single Dual Emitter Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1000 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок SOT-227B-4 Упаковка Tube
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 38 A Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа SMD/SMT Размер фабричной упаковки 10
order_2_3week 3

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
MAX521BEWG-T MAX521BEWG-T Maxim Integrated Products ЦАП (цифро-аналоговые преобразователи) 2944598.pdf
MAX9134GHJ+T MAX9134GHJ+T Maxim Integrated Products ИС интерфейса LVDS Programmable LVDS Crossbar Switch 7780446.pdf
SP619EK-L SP619EK-L --- Коммутационные микросхемы ---
HCPL-T250#360 HCPL-T250#360 --- Оптопары и оптроны ---
CD4094BPWR CD4094BPWR --- Логические микросхемы ---