IXSN35N100U1

IXSN35N100U1
Кол-во:
Заказать
Под заказ 2-3 недели
Название: IXSN35N100U1
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 35 Amps 1000V
Производитель: Ixys
Спецификация:
Цены: Розн.13$
Детальное описание компонента IXSN35N100U1
Конфигурация Single Dual Emitter Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1000 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок SOT-227B-4 Упаковка Tube
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 38 A Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа SMD/SMT Размер фабричной упаковки 10
order_2_3week 3

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
MAX7042EVKIT-433 MAX7042EVKIT-433 Maxim Integrated Products Радиочастотные средства разработки 1082964.pdf
MAX5442ACUB+T MAX5442ACUB+T Maxim Integrated Products ЦАП (цифро-аналоговые преобразователи) 16-Bit Precision DAC 2685004.pdf
OP145D OP145D Optek Инфракрасные излучатели Infrared 935nm ---
TRS3221IDBRG4 TRS3221IDBRG4 Texas Instruments ИС, интерфейс RS-232 3V-5.5V Sgl-Channel RS232 Line Drvr/Rcvr 5428541.pdf
S29JL032H70BFI310 S29JL032H70BFI310 --- Микросхемы памяти ---