IXGR35N120B

IXGR35N120B
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: IXGR35N120B
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 70 Amps 1200V 3.3 Rds
Производитель: Ixys
Спецификация: 9347672.pdf
Детальное описание компонента IXGR35N120B
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 3.3 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок ISOPLUS247-3
Упаковка Tube Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 70 A
Минимальная рабочая температура - 55 C Вид монтажа SMD/SMT
Размер фабричной упаковки 30

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
AP-CF128MH4ER-ETNRK AP-CF128MH4ER-ETNRK Apacer Карты памяти ATA CF EXT 128M IND COMPACT FLASH CARD ---
DA3X101F0L DA3X101F0L Panasonic Semiconductors Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) SWITCH DIODE GL WNG 2.9x2.8mm 3566960.pdf
TLC3702QDRQ1 TLC3702QDRQ1 Texas Instruments ИС, компараторы Dual Micropower LinCMOS 9509483.pdf
MAX5230AEEE-T MAX5230AEEE-T Maxim Integrated Products ЦАП (цифро-аналоговые преобразователи) 3057070.pdf
CY14E064L-SZ45XI CY14E064L-SZ45XI --- Микросхемы памяти ---