IXGR50N60A2U1
|
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
||
| Название: | IXGR50N60A2U1 | ||
| Описание: | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 50 Amps 600V | ||
| Производитель: | Ixys | ||
| Спецификация: | 9346472.pdf | ||
| Детальное описание компонента IXGR50N60A2U1 | |||
| Конфигурация | Single | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
|---|---|---|---|
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.8 V | Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C | Упаковка / блок | ISOPLUS247-3 |
| Упаковка | Tube | Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 75 A |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C | Вид монтажа | SMD/SMT |
| Размер фабричной упаковки | 30 | ||
Популярные товары:
| Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NC41120-0017 | Fujitsu | Сенсорные панели ЖКД USB | 5511677.pdf5511695.pdf |
|
|
 |
STEVAL-MKI076V1 | STMicroelectronics | Инструменты разработки датчика ускорения LY3200ALH Single High Perf 2kdps BRD | --- |
|
|
|
|
LM4907LQ | National Semiconductor (TI) | Усилители звука | 4716060.pdf |
|
|
|
|
IS42S16400D-7TI | --- | Микросхемы памяти | --- |
|
|
|
|
S-80152ALMC-JBDT2G | --- | Схемы управления питанием | --- |
|