IXSQ20N60B2D1
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
|||
Название: | IXSQ20N60B2D1 | ||
Описание: | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 20 Amps 600V 2.5 Rds | ||
Производитель: | Ixys | ||
Спецификация: | 9344345.pdf | ||
Детальное описание компонента IXSQ20N60B2D1 | |||
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.5 V |
---|---|---|---|
Ток утечки затвор-эмиттер | +/- 100 nA | Рассеяние мощности | 190 W |
Упаковка / блок | TO-3P | Упаковка | Tube |
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 35 A | Вид монтажа | Through Hole |
Размер фабричной упаковки | 30 |
Популярные товары:
Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
---|---|---|---|---|---|---|
74FCT162H501CTPVC | Texas Instruments | Функции универсальной шины 18B Universal Bus Transceivers | 5579800.pdf |
|
||
KMPC8264AZUPJDB | --- | Процессоры MCU, MPU, DSP, DSC, SoC | --- |
|
||
TS3DV416DGGRE4 | --- | Коммутационные микросхемы | --- |
|
||
BTS462T | --- | Коммутационные микросхемы | --- |
|
||
1376397-1 | --- | Прямоугольные разъемы | --- |
|