IXGR60N60B2D1

IXGR60N60B2D1
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: IXGR60N60B2D1
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 47 Amps 600V 1.8 V Rds
Производитель: Ixys
Спецификация: 9340552.pdf
Детальное описание компонента IXGR60N60B2D1
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок ISOPLUS247-3
Упаковка Tube Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 75 A
Минимальная рабочая температура - 55 C Вид монтажа SMD/SMT
Размер фабричной упаковки 30

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
S1D13513B01B100 S1D13513B01B100 Epson Electronics America Аппаратные драйверы ЖКД (XGA) 1028x768 LCD Controller ---
MAX17139EVKIT# MAX17139EVKIT# Maxim Integrated Products Средства разработки интегральных схем (ИС) управления питанием MAX17139 Eval Kit ---
SI4113-EVB SI4113-EVB Silicon Labs Радиочастотные средства разработки Dual-Band RF Synth RF Only Eval TSSOP ---
DS1245Y-C01 DS1245Y-C01 --- Микросхемы памяти ---
B85321A2945A501 B85321A2945A501 --- ЭМП и РЧП ---