IXGR60N60B2D1

IXGR60N60B2D1
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: IXGR60N60B2D1
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 47 Amps 600V 1.8 V Rds
Производитель: Ixys
Спецификация: 9340552.pdf
Детальное описание компонента IXGR60N60B2D1
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок ISOPLUS247-3
Упаковка Tube Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 75 A
Минимальная рабочая температура - 55 C Вид монтажа SMD/SMT
Размер фабричной упаковки 30

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
T3401N36TOF T3401N36TOF Infineon Technologies Модули КТУ (SCR) NETZ-THYRISTOR PHASE CONTROL ---
SI5023-BMR SI5023-BMR Silicon Labs Тактовый синтезатор/устройство подавления колебаний SNT/SDH GbE 2.7Gbps OC48/12/3 STM16/4/1 6575294.pdf
DAC1403D160HW/C1:5 DAC1403D160HW/C1:5 NXP Semiconductors ЦАП (цифро-аналоговые преобразователи) IC DAC 14BIT 160MSPS 2248799.pdf
MAX6439UTKQSD7-T MAX6439UTKQSD7-T --- Схемы управления питанием ---
MAX2395ETI+ MAX2395ETI+ --- RF Semiconductors ---