IXGT6N170
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
|||
Название: | IXGT6N170 | ||
Описание: | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 12 Amps 1700 V 4 V Rds | ||
Производитель: | Ixys | ||
Спецификация: | |||
Детальное описание компонента IXGT6N170 | |||
Конфигурация | Single | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1700 V |
---|---|---|---|
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 4 V | Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
Максимальная рабочая температура | + 150 C | Упаковка / блок | TO-268-3 |
Упаковка | Tube | Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 6 A |
Минимальная рабочая температура | - 55 C | Вид монтажа | SMD/SMT |
Размер фабричной упаковки | 30 |
Популярные товары:
Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
---|---|---|---|---|---|---|
6PS16012E3FG30834 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | --- |
|
||
XR16M780IB25-F | Exar | ИС, интерфейс UART 1.8 HIGH PERFORMANCE UART W/64 | 6152452.pdf |
|
||
24LC512-I/ST | --- | Микросхемы памяти | --- |
|
||
SFH617A-3X017 | --- | Оптопары и оптроны | --- |
|
||
140-202P5-471K-TB | --- | Конденсаторы | --- |
|