IXGH40N60B2
|
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
||
| Название: | IXGH40N60B2 | ||
| Описание: | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 40 Amps 600V 1.7 V Rds | ||
| Производитель: | Ixys | ||
| Спецификация: | 9337681.pdf | ||
| Детальное описание компонента IXGH40N60B2 | |||
| Конфигурация | Single | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
|---|---|---|---|
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V | Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка / блок | TO-247-3 | Упаковка | Tube |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 75 A | Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Вид монтажа | Through Hole | Размер фабричной упаковки | 30 |
Популярные товары:
| Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MDEV-USB-QS | Linx Technologies | Interface Development Tools QS Master Dev Sys | 9720450.pdf |
|
|
 |
74HC423N,652 | NXP Semiconductors | Ждущий мультивибратор DUAL MONO RETRIG | 3622647.pdf3622667.pdf |
|
|
 |
MW6IC1940GNBR1 | --- | RF Semiconductors | --- |
|
|
|
|
RI-TRP-M9WK-00 | --- | RF Semiconductors | --- |
|
|
|
|
SSI-LXH312ID12V120 | --- | Светодиодная индикация | --- |
|