IXYH50N120C3

IXYH50N120C3
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: IXYH50N120C3
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) XPT IGBT C3-Class 1200V/105A
Производитель: Ixys
Спецификация: 9335122.pdf
Детальное описание компонента IXYH50N120C3
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.5 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 105 A Ток утечки затвор-эмиттер 100 nA
Рассеяние мощности 625 W Упаковка / блок TO-247
Упаковка Tube Вид монтажа Through Hole

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
BCR 198 E6327 BCR 198 E6327 Infineon Technologies Transistors Switching (Resistor Biased) PNP Silicon Digital TRANSISTOR ---
LM4041C12IDBZTG4 LM4041C12IDBZTG4 --- Схемы управления питанием ---
S-80948CLNB-G7J-T2 S-80948CLNB-G7J-T2 --- Схемы управления питанием ---
5D2-10LCS 5D2-10LCS --- Термисторы – отрицательный температурный коэффициент ---
E3S-5DE4 5M E3S-5DE4 5M --- Оптические детекторы и датчики ---