IXDN55N120D1

IXDN55N120D1
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: IXDN55N120D1
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 55 Amps 1200V
Производитель: Ixys
Спецификация: 9333759.pdf
Детальное описание компонента IXDN55N120D1
Конфигурация Single Dual Emitter Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.3 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок SOT-227B-4
Упаковка Tube Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 100 A
Минимальная рабочая температура - 40 C Вид монтажа SMD/SMT
Размер фабричной упаковки 10

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
SN74HC193PWR SN74HC193PWR Texas Instruments ИС, счетчики 4-Bit Sync Up/Down 4863111.pdf
NCP4208MNR2G NCP4208MNR2G --- Схемы управления питанием ---
5962-9204101MEA 5962-9204101MEA --- Коммутационные микросхемы ---
DA7W2P443A00LF DA7W2P443A00LF --- Субминиатюрные соединители ---
VI-JWL-IZ VI-JWL-IZ --- Разное ---