IXDN55N120D1
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
|||
Название: | IXDN55N120D1 | ||
Описание: | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 55 Amps 1200V | ||
Производитель: | Ixys | ||
Спецификация: | 9333759.pdf | ||
Детальное описание компонента IXDN55N120D1 | |||
Конфигурация | Single Dual Emitter | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V |
---|---|---|---|
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.3 V | Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
Максимальная рабочая температура | + 150 C | Упаковка / блок | SOT-227B-4 |
Упаковка | Tube | Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 100 A |
Минимальная рабочая температура | - 40 C | Вид монтажа | SMD/SMT |
Размер фабричной упаковки | 10 |
Популярные товары:
Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
---|---|---|---|---|---|---|
SN74HC193PWR | Texas Instruments | ИС, счетчики 4-Bit Sync Up/Down | 4863111.pdf |
|
||
NCP4208MNR2G | --- | Схемы управления питанием | --- |
|
||
5962-9204101MEA | --- | Коммутационные микросхемы | --- |
|
||
DA7W2P443A00LF | --- | Субминиатюрные соединители | --- |
|
||
VI-JWL-IZ | --- | Разное | --- |
|