IXGN60N60

IXGN60N60
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: IXGN60N60
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) ULTRA LOW VCE 600V 100A
Производитель: Ixys
Спецификация: 9333518.pdf
Детальное описание компонента IXGN60N60
Конфигурация Single Dual Emitter Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.7 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Ток утечки затвор-эмиттер +/- 100 nA Рассеяние мощности 250 W
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок SOT-227B-4
Упаковка Tube Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 100 A
Минимальная рабочая температура - 55 C Вид монтажа SMD/SMT
Размер фабричной упаковки 10

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
LM2512ASNX/NOPB LM2512ASNX/NOPB National Semiconductor (TI) ИС, интерфейс параллельно-последовательного и последовательно-параллельного преобразования 6097923.pdf
FAGORF2406APZA FAGORF2406APZA Texas Instruments Обработчики и контроллеры цифровых сигналов (DSP, DSC) 16B fixed point DSP with Flash 6212808.pdf
MAX802MCPA+ MAX802MCPA+ --- Схемы управления питанием ---
LM2853MH-0.8 LM2853MH-0.8 --- Схемы управления питанием ---
NTPAJ4R0LDKB0 NTPAJ4R0LDKB0 --- Термисторы – отрицательный температурный коэффициент ---