IXGR60N60C2D1
|
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
||
| Название: | IXGR60N60C2D1 | ||
| Описание: | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 48 Amps 600V 2.7 V Rds | ||
| Производитель: | Ixys | ||
| Спецификация: | 9333177.pdf | ||
| Детальное описание компонента IXGR60N60C2D1 | |||
| Конфигурация | Single | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
|---|---|---|---|
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.7 V | Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C | Упаковка / блок | ISOPLUS247-3 |
| Упаковка | Tube | Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 75 A |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C | Вид монтажа | SMD/SMT |
| Размер фабричной упаковки | 30 | ||
Популярные товары:
| Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FM24C17UFLEM8 | --- | Микросхемы памяти | --- |
|
|
|
|
MAX889TESA+T | --- | Схемы управления питанием | --- |
|
|
|
|
CC1100ERTKR | --- | RF Semiconductors | --- |
|
|
|
|
09731962577 | --- | Прямоугольные разъемы | --- |
|
|
|
|
HM2DK2478R | --- | Прямоугольные разъемы | --- |
|