STGB3NB60FDT4

STGB3NB60FDT4
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: STGB3NB60FDT4
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Ch 600 Volt 3.0 A
Производитель: STMicroelectronics
Спецификация: 9332171.pdf
Детальное описание компонента STGB3NB60FDT4
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.4 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 3 A Ток утечки затвор-эмиттер 100 nA
Рассеяние мощности 68 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок D2PAK-3 Упаковка Reel
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 6 A Минимальная рабочая температура - 55 C
Вид монтажа SMD/SMT Размер фабричной упаковки 1000

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
ACEADAPTN14 ACEADAPTN14 Fairchild Semiconductor Панели и адаптеры DIP-14 Prgm Adapter ---
RGP10KE-E3/16 RGP10KE-E3/16 Vishay Semiconductors Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) 1.0A 800 Volt 500ns 4049413.pdf
SST29EE010-70-4C-NHE SST29EE010-70-4C-NHE --- Микросхемы памяти ---
MAX6439UTDIRD7+T MAX6439UTDIRD7+T --- Схемы управления питанием ---
CS5172GD8G CS5172GD8G --- Схемы управления питанием ---