FGB20N6S2DT
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
|||
Название: | FGB20N6S2DT | ||
Описание: | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V N-Ch IGBT SMPS II Series | ||
Производитель: | Fairchild Semiconductor | ||
Спецификация: | |||
Детальное описание компонента FGB20N6S2DT | |||
Конфигурация | Single | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
---|---|---|---|
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V | Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Упаковка / блок | TO-263AB-3 | Упаковка | Reel |
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 28 A | Минимальная рабочая температура | - 55 C |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Популярные товары:
Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
---|---|---|---|---|---|---|
MAX2670EVKIT# | Maxim Integrated Products | Средства разработки интегральных схем (ИС) усилителей GPS/GNSS Front End Amplifier | --- |
|
||
STR912-D/RAIS | STMicroelectronics | Дочерние и отладочные платы 8 BITS MICROCONTR | --- |
|
||
KRN-K3XX-STR9XX-P-P1-SNGL | Micrium | Программное обеспечение для разработки uC/OS-III on ST STR9xx SPL | 9274767.pdf |
|
||
1SV277TPH3F | Toshiba | Варакторные диоды 10V C1=4.0-4.9pF | 9224534.pdf |
|
||
DCMC493U50BJ2B | --- | Конденсаторы | --- |
|