FGB20N6S2DT

FGB20N6S2DT
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: FGB20N6S2DT
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V N-Ch IGBT SMPS II Series
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента FGB20N6S2DT
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-263AB-3 Упаковка Reel
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 28 A Минимальная рабочая температура - 55 C
Вид монтажа SMD/SMT

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
MAX2670EVKIT# MAX2670EVKIT# Maxim Integrated Products Средства разработки интегральных схем (ИС) усилителей GPS/GNSS Front End Amplifier ---
STR912-D/RAIS STR912-D/RAIS STMicroelectronics Дочерние и отладочные платы 8 BITS MICROCONTR ---
KRN-K3XX-STR9XX-P-P1-SNGL KRN-K3XX-STR9XX-P-P1-SNGL Micrium Программное обеспечение для разработки uC/OS-III on ST STR9xx SPL 9274767.pdf
1SV277TPH3F 1SV277TPH3F Toshiba Варакторные диоды 10V C1=4.0-4.9pF 9224534.pdf
DCMC493U50BJ2B DCMC493U50BJ2B --- Конденсаторы ---