HGTG40N60B3_Q

HGTG40N60B3_Q
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: HGTG40N60B3_Q
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V N-Channel IGBT UFS Series
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация: 9331705.pdf
Детальное описание компонента HGTG40N60B3_Q
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.4 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 70 A Ток утечки затвор-эмиттер +/- 100 nA
Рассеяние мощности 290 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-247-3 Упаковка Tube
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 70 A Минимальная рабочая температура - 55 C
Вид монтажа Through Hole

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
OPA627BP OPA627BP Texas Instruments Быстродействующие операционные усилители Prec High-Speed Difet Oper Amp 663891.pdf
MC10E157FNR2G MC10E157FNR2G ON Semiconductor Кодеры, декодеры, мультиплексоры и демультиплексоры 0BBG ECL MLTIPLXR ---
TPS2836DR TPS2836DR --- Схемы управления питанием ---
CD4850W1V CD4850W1V --- Оптопары и оптроны ---
SN74ALS648ADW SN74ALS648ADW --- Логические микросхемы ---