FMG2G100US60_Q
|
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
||
| Название: | FMG2G100US60_Q | ||
| Описание: | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V/100A/2 | ||
| Производитель: | Fairchild Semiconductor | ||
| Спецификация: | |||
| Детальное описание компонента FMG2G100US60_Q | |||
| Конфигурация | Dual | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
|---|---|---|---|
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.2 V | Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 100 A | Ток утечки затвор-эмиттер | +/- 100 nA |
| Рассеяние мощности | 400 W | Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка / блок | 7PM-GA-7 | Упаковка | Bulk |
| Минимальная рабочая температура | - 40 C | Вид монтажа | Screw |
Популярные товары:
| Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
AT25256B-SSHL-T | --- | Микросхемы памяти | --- |
|
|
|
|
MAX1951AESA+ | --- | Схемы управления питанием | --- |
|
|
|
|
550-3005-004F | --- | Светодиодная индикация | --- |
|
|
|
|
SSI-LXH55GD-12V | --- | Светодиодная индикация | --- |
|
|
|
|
3781-36-8 | --- | Комплектующие для испытательного оборудования | --- |
|