FMG2G100US60_Q
|
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
||
| Название: | FMG2G100US60_Q | ||
| Описание: | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V/100A/2 | ||
| Производитель: | Fairchild Semiconductor | ||
| Спецификация: | |||
| Детальное описание компонента FMG2G100US60_Q | |||
| Конфигурация | Dual | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
|---|---|---|---|
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.2 V | Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 100 A | Ток утечки затвор-эмиттер | +/- 100 nA |
| Рассеяние мощности | 400 W | Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка / блок | 7PM-GA-7 | Упаковка | Bulk |
| Минимальная рабочая температура | - 40 C | Вид монтажа | Screw |
Популярные товары:
| Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DS1961S-F5 | Maxim Integrated Products | Контактная память | --- |
|
|
 |
SL23EP05SI-1HT | Silicon Labs | Тактовый буфер 10-220MHz 5 Outputs ZDB 3.3-2.5V Hi Drv | 6115260.pdf |
|
|
 |
LTE-5208AC | Lite-On | Инфракрасные излучатели Infrared 940nm | --- |
|
|
|
|
MAX6439UTOSZD7-T | --- | Схемы управления питанием | --- |
|
|
|
|
ERT-J0EA470H | --- | Термисторы – отрицательный температурный коэффициент | --- |
|