HGTG10N120BND_Q

HGTG10N120BND_Q
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: HGTG10N120BND_Q
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 35A 1200V N-Ch
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация: 9330743.pdf
Детальное описание компонента HGTG10N120BND_Q
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.45 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 35 A Ток утечки затвор-эмиттер +/- 250 nA
Рассеяние мощности 298 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-247-3 Упаковка Tube
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 35 A Минимальная рабочая температура - 55 C
Вид монтажа Through Hole

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
PMR5118UWSR PMR5118UWSR --- Схемы управления питанием ---
CLG04P020L17 CLG04P020L17 --- Конденсаторы ---
550211T400AA2B 550211T400AA2B --- Конденсаторы ---
B84110AA40 B84110AA40 --- Фильтры цепи питания ---
345-026-500-202 345-026-500-202 --- Прямоугольные разъемы ---