HGTG10N120BND_Q

HGTG10N120BND_Q
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: HGTG10N120BND_Q
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 35A 1200V N-Ch
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация: 9330743.pdf
Детальное описание компонента HGTG10N120BND_Q
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.45 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 35 A Ток утечки затвор-эмиттер +/- 250 nA
Рассеяние мощности 298 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-247-3 Упаковка Tube
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 35 A Минимальная рабочая температура - 55 C
Вид монтажа Through Hole

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
RGP10B-E3/1 RGP10B-E3/1 Vishay Semiconductors Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) 1.0A 100 Volt 150ns 4147068.pdf
ST1284-02A8RL ST1284-02A8RL STMicroelectronics Интерфейс - специализированный Parallel Port Term 7705606.pdf
MAX202EWE+ MAX202EWE+ Maxim Integrated Products ИС, интерфейс RS-232 5V RS232 Transceiver w/0.1uF External Cap 5099788.pdf
LM4040D41IDCKR LM4040D41IDCKR --- Схемы управления питанием ---
GC1074U-3-0 GC1074U-3-0 --- Термисторы – отрицательный температурный коэффициент ---