FMG2G300US60E_Q

FMG2G300US60E_Q
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: FMG2G300US60E_Q
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Molding Type Module
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента FMG2G300US60E_Q
Конфигурация Dual Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.1 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 300 A Ток утечки затвор-эмиттер +/- 100 nA
Рассеяние мощности 892 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок 7PM-HA-7 Упаковка Bulk
Минимальная рабочая температура - 40 C Вид монтажа Screw

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
DMC266060R DMC266060R Panasonic Semiconductors Transistors Switching (Resistor Biased) COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm 9502505.pdf
FX5545G2063V3PI FX5545G2063V3PI --- Схемы управления питанием ---
S-303H-CCT S-303H-CCT --- Прямоугольные разъемы ---
P-2412-DB P-2412-DB --- Прямоугольные разъемы ---
4248539 4248539 --- Средства маркировки и укладки проводов и кабелей ---