BSM100GAR120DN2

BSM100GAR120DN2
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BSM100GAR120DN2
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V 100A DUAL
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента BSM100GAR120DN2
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.5 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 100 A Ток утечки затвор-эмиттер 400 nA
Рассеяние мощности 800 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок IS6a ( 62 mm )-5 Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа Screw Размер фабричной упаковки 500

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
PCI9056RDK-LITE PCI9056RDK-LITE PLX Technology Interface Development Tools PCI9056 KIT 9720439.pdf
LOG104AIDG4 LOG104AIDG4 Texas Instruments Логарифмические усилители LOGARITHMIC AMP 1728009.pdf
MAX6439UTMRRD3-T MAX6439UTMRRD3-T --- Схемы управления питанием ---
74LV4051DB,112 74LV4051DB,112 --- Коммутационные микросхемы ---
ACST12-7CT ACST12-7CT --- Коммутационные микросхемы ---