BSM100GAR120DN2
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
|||
Название: | BSM100GAR120DN2 | ||
Описание: | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V 100A DUAL | ||
Производитель: | Infineon Technologies | ||
Спецификация: | |||
Детальное описание компонента BSM100GAR120DN2 | |||
Конфигурация | Single | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V |
---|---|---|---|
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.5 V | Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 100 A | Ток утечки затвор-эмиттер | 400 nA |
Рассеяние мощности | 800 W | Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Упаковка / блок | IS6a ( 62 mm )-5 | Минимальная рабочая температура | - 40 C |
Вид монтажа | Screw | Размер фабричной упаковки | 500 |
Популярные товары:
Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
---|---|---|---|---|---|---|
503605-1 | TE Connectivity / AMP | Волоконно-оптические соединители SPLICE WORKSTATION | --- |
|
||
BQ24304DSGRG4 | --- | Схемы управления питанием | --- |
|
||
MAX6441KABHRD7-T | --- | Схемы управления питанием | --- |
|
||
BU4346G-TR | --- | Схемы управления питанием | --- |
|
||
T528Z227M006ATE009 | --- | Конденсаторы | --- |
|