GT50J301(Q)
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
|||
Название: | GT50J301(Q) | ||
Описание: | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V/150A DIS+FRD | ||
Производитель: | Toshiba | ||
Спецификация: | |||
Детальное описание компонента GT50J301(Q) | |||
Конфигурация | Single | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
---|---|---|---|
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V | Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Упаковка / блок | TO-3P | Упаковка | Bulk |
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 50 A | Минимальная рабочая температура | - 55 C |
Вид монтажа | Through Hole | Размер фабричной упаковки | 100 |
Популярные товары:
Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
---|---|---|---|---|---|---|
UC2838NG4 | Texas Instruments | Специальные усилители LTB end 04-20-10 - MAGNETIC AMPLIFIER | --- |
|
||
SN74HC11D | Texas Instruments | Вентили (И / И НЕ / ИЛИ / ИЛИ НЕ) Triple 3-Input Pos | 7957454.pdf7957456.pdf |
|
||
74LVC11BQ-G | NXP Semiconductors | Вентили (И / И НЕ / ИЛИ / ИЛИ НЕ) 3.3V TRIPLE 3-INPUT AND GATE | 8417087.pdf |
|
||
MAX6439UTMTYD3+T | --- | Схемы управления питанием | --- |
|
||
AD800-9-TO52-S1 | --- | Оптические детекторы и датчики | --- |
|