GT50J301(Q)

GT50J301(Q)
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: GT50J301(Q)
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V/150A DIS+FRD
Производитель: Toshiba
Спецификация:
Детальное описание компонента GT50J301(Q)
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-3P Упаковка Bulk
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 50 A Минимальная рабочая температура - 55 C
Вид монтажа Through Hole Размер фабричной упаковки 100

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
MCIMX514AJM6C MCIMX514AJM6C Freescale Semiconductor Обработчики и контроллеры цифровых сигналов (DSP, DSC) ELVIS 3.0 5932313.pdf
LP3905SDX-A3 LP3905SDX-A3 --- Схемы управления питанием ---
BD45285G-TR BD45285G-TR --- Схемы управления питанием ---
SSL-LX3044UPGC SSL-LX3044UPGC --- Светодиодная индикация ---
2307-96mmx55m 2307-96mmx55m --- Ленты и мастики ---