GT50J301(Q)

GT50J301(Q)
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: GT50J301(Q)
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V/150A DIS+FRD
Производитель: Toshiba
Спецификация:
Детальное описание компонента GT50J301(Q)
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-3P Упаковка Bulk
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 50 A Минимальная рабочая температура - 55 C
Вид монтажа Through Hole Размер фабричной упаковки 100

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
SSL1750T/N1,518 SSL1750T/N1,518 NXP Semiconductors LED Drivers SSL DRIVER 4557879.pdf
MC33897CTEF MC33897CTEF Freescale Semiconductor ИС, сетевые контроллеры и процессоры SINGLE WIRE CAN 6934265.pdf
FSTUD32450G_Q FSTUD32450G_Q Fairchild Semiconductor Функции универсальной шины Configurable Bus Switch ---
DS1345WP-150 DS1345WP-150 --- Микросхемы памяти ---
FLUKE-718-300G FLUKE-718-300G --- Калибровочное оборудование ---