GT50J301(Q)

GT50J301(Q)
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: GT50J301(Q)
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V/150A DIS+FRD
Производитель: Toshiba
Спецификация:
Детальное описание компонента GT50J301(Q)
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-3P Упаковка Bulk
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 50 A Минимальная рабочая температура - 55 C
Вид монтажа Through Hole Размер фабричной упаковки 100

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
UC2838NG4 UC2838NG4 Texas Instruments Специальные усилители LTB end 04-20-10 - MAGNETIC AMPLIFIER ---
SN74HC11D SN74HC11D Texas Instruments Вентили (И / И НЕ / ИЛИ / ИЛИ НЕ) Triple 3-Input Pos 7957454.pdf7957456.pdf
74LVC11BQ-G 74LVC11BQ-G NXP Semiconductors Вентили (И / И НЕ / ИЛИ / ИЛИ НЕ) 3.3V TRIPLE 3-INPUT AND GATE 8417087.pdf
MAX6439UTMTYD3+T MAX6439UTMTYD3+T --- Схемы управления питанием ---
AD800-9-TO52-S1 AD800-9-TO52-S1 --- Оптические детекторы и датчики ---