GT60M303(Q)

GT60M303(Q)
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: GT60M303(Q)
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 900V/60A DIS+FRD Trench
Производитель: Toshiba
Спецификация: 9328631.pdf
Детальное описание компонента GT60M303(Q)
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 900 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 25 V Непрерывный коллекторный ток при 25 C 60 A
Ток утечки затвор-эмиттер +/- 500 nA Рассеяние мощности 170 W
Упаковка / блок TO-3P Упаковка Bulk
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 60 A Вид монтажа Through Hole
Размер фабричной упаковки 100

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
CST-90-W40S-C13-GL501 CST-90-W40S-C13-GL501 Luminus Devices Светодиодные модули White 4000K 600 lm @ 3.15A ---
74LVC14ATTR 74LVC14ATTR STMicroelectronics Инвертеры Hex Inverter 1091747.pdf
SP3232EUCN-L/TR SP3232EUCN-L/TR Exar Функции универсальной шины 3.3V, 1000 Kbps RS-232 5692385.pdf
AM27CGCK09 AM27CGCK09 --- Светодиодная индикация ---
WP7113SRD/E WP7113SRD/E --- Светодиодная индикация ---