GT60M303(Q)

GT60M303(Q)
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: GT60M303(Q)
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 900V/60A DIS+FRD Trench
Производитель: Toshiba
Спецификация: 9328631.pdf
Детальное описание компонента GT60M303(Q)
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 900 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 25 V Непрерывный коллекторный ток при 25 C 60 A
Ток утечки затвор-эмиттер +/- 500 nA Рассеяние мощности 170 W
Упаковка / блок TO-3P Упаковка Bulk
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 60 A Вид монтажа Through Hole
Размер фабричной упаковки 100

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
ZMV830ATA ZMV830ATA Diodes Inc. / Zetex Варакторные диоды Varicap ---
HEC4528BT,112 HEC4528BT,112 NXP Semiconductors Ждущий мультивибратор DUAL MONOSTABLE 3780058.pdf
ATF1502AS-15AI44 ATF1502AS-15AI44 --- Программируемые логические интегральные схемы ---
SSI-LXR4815SBD-150 SSI-LXR4815SBD-150 --- Светодиодная индикация ---
M1030-2R5605-R M1030-2R5605-R --- Конденсаторы ---