GT25G101(Q)

GT25G101(Q)
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: GT25G101(Q)
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT 400V 170A
Производитель: Toshiba
Спецификация:
Детальное описание компонента GT25G101(Q)
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 400 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер 25 V Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-220 Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 25 A
Вид монтажа Through Hole Размер фабричной упаковки 50

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
TDA8922BTH-T TDA8922BTH-T NXP Semiconductors Усилители звука 2X50W CLASSD PWR AMP ---
1754985-4 1754985-4 TE Connectivity / AMP Волоконно-оптические соединители C/A MPO-MPO 24F XG 6103185.pdf
NTHS0805J08N5003JR NTHS0805J08N5003JR --- Термисторы – отрицательный температурный коэффициент ---
908-6MM 908-6MM --- Светодиодная индикация ---
4301.5202 4301.5202 --- Модули подачи питания ---