GT25G101(Q)

GT25G101(Q)
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: GT25G101(Q)
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT 400V 170A
Производитель: Toshiba
Спецификация:
Детальное описание компонента GT25G101(Q)
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 400 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер 25 V Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-220 Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 25 A
Вид монтажа Through Hole Размер фабричной упаковки 50

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
MAX8798ETX+T MAX8798ETX+T Maxim Integrated Products Драйверы дисплея Internal-Switch Boost Regulator 3848030.pdf
dsPIC33FJ16GP102-I/SO dsPIC33FJ16GP102-I/SO Microchip Technology Обработчики и контроллеры цифровых сигналов (DSP, DSC) 16bit DSC Fam 16MIPS 16KB FL 1KB RAM ---
AT17C65-10NC AT17C65-10NC --- Микросхемы памяти ---
HLMP1300103F HLMP1300103F --- Светодиодная индикация ---
SLR-343YCT32 SLR-343YCT32 --- Светодиодная индикация ---