GT40Q323(Q)

GT40Q323(Q)
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: GT40Q323(Q)
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 39A
Производитель: Toshiba
Спецификация:
Детальное описание компонента GT40Q323(Q)
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 25 V Непрерывный коллекторный ток при 25 C 39 A
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок TO-3PN-3
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 39 A Минимальная рабочая температура - 55 C
Вид монтажа Through Hole Размер фабричной упаковки 50

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
NJM2187M-TE1 NJM2187M-TE1 NJR Цифровые процессоры звукового сигнала Tru-Sound Mtrx 3D ---
ISP1760ET-S ISP1760ET-S NXP Semiconductors ИС, контроллер интерфейса ввода вывода USB HOST CONTROLLER 9453551.pdf
R13-2.0-RED R13-2.0-RED --- Светодиодная индикация ---
U21J1A3RE2 U21J1A3RE2 --- Переключатели ---
E105J11ZQE22 E105J11ZQE22 --- Переключатели ---