HGTP3N60A4D

HGTP3N60A4D
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: HGTP3N60A4D
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V N-Channel IGBT SMPS Series
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента HGTP3N60A4D
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 17 A Ток утечки затвор-эмиттер +/- 250 nA
Рассеяние мощности 70 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-220AB-3 Упаковка Tube
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 17 A Минимальная рабочая температура - 55 C
Вид монтажа Through Hole Размер фабричной упаковки 400
Другие названия товара № HGTP3N60A4D_NL

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
MT100UCC-H4-P2-SP MT100UCC-H4-P2-SP Multi-Tech Systems Радиочастотные модули Tri-Band HSPA 7.2 Embd USB Modem AT&T 2072791.pdf
101-0840 101-0840 Rabbit Semiconductor Одноплатные компьютеры BL2000 Fri 512K SRAM ---
MAX9950DCCB+TD MAX9950DCCB+TD Maxim Integrated Products Интерфейс - специализированный Dual Per-Pin PMU 7683271.pdf
MM74HC4046N MM74HC4046N --- RF Semiconductors ---
S-3-G-7-D S/C SS SPGS S-3-G-7-D S/C SS SPGS --- Комплектующие для испытательного оборудования ---