HGT1N40N60A4D

HGT1N40N60A4D
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: HGT1N40N60A4D
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 45A 600V N-Ch
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента HGT1N40N60A4D
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.7 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 110 A Ток утечки затвор-эмиттер +/- 250 nA
Рассеяние мощности 298 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок SOT-227-4 Упаковка Tube
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 110 A Минимальная рабочая температура - 55 C
Вид монтажа SMD/SMT Размер фабричной упаковки 10

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
GLK24064-16-1U-WB-VPT GLK24064-16-1U-WB-VPT Matrix Orbital Графические дисплейные ЖК-модули и принадлежности 240 X 64 BLUE/WHITE 9VDC TO 35VDC ---
OBSAI-RP3-PM-UT3 OBSAI-RP3-PM-UT3 Lattice Программное обеспечение для разработки OBSAI REF POINT 3 9286458.pdf
MAX4214EUK-T MAX4214EUK-T Maxim Integrated Products Быстродействующие операционные усилители Integrated Circuits (ICs) 1138724.pdf
CY25200KFZXC CY25200KFZXC --- RF Semiconductors ---
TPS2091D TPS2091D --- Коммутационные микросхемы ---