HGT1S2N120CN

HGT1S2N120CN
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: HGT1S2N120CN
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 2.6A 1200V N-Ch
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента HGT1S2N120CN
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.05 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 13 A Ток утечки затвор-эмиттер +/- 250 nA
Рассеяние мощности 104 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-262-3 Упаковка Tube
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 13 A Минимальная рабочая температура - 55 C
Вид монтажа Through Hole Размер фабричной упаковки 50
Другие названия товара № HGT1S2N120CN_NL

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
MCB1850U MCB1850U Keil Tools Макетные платы и комплекты - ARM EVAL BOARD FOR NXP LPC1850 + ULINK2 ---
CY7C924ADX-AXC CY7C924ADX-AXC Cypress Semiconductor ИС, сетевые контроллеры и процессоры HOTLink DX COM ---
MX6SWT-A1-R250-000CE4 MX6SWT-A1-R250-000CE4 --- Светодиоды высокой мощности ---
1-640250-7 1-640250-7 --- Прямоугольные разъемы ---
PCN10A-64P-2.54DS(72) PCN10A-64P-2.54DS(72) --- Прямоугольные разъемы ---