HGT1S2N120CN

HGT1S2N120CN
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: HGT1S2N120CN
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 2.6A 1200V N-Ch
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента HGT1S2N120CN
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.05 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 13 A Ток утечки затвор-эмиттер +/- 250 nA
Рассеяние мощности 104 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-262-3 Упаковка Tube
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 13 A Минимальная рабочая температура - 55 C
Вид монтажа Through Hole Размер фабричной упаковки 50
Другие названия товара № HGT1S2N120CN_NL

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
MAX4090AAXT-T MAX4090AAXT-T Maxim Integrated Products Видеоусилители 2610721.pdf
M95080-WMN6TP M95080-WMN6TP --- Микросхемы памяти ---
MAX6464UR41+T MAX6464UR41+T --- Схемы управления питанием ---
LCW CQDP.EC-KRKT-5R8T-1 LCW CQDP.EC-KRKT-5R8T-1 --- Светодиоды высокой мощности ---
S-100-M-17-G-S S-100-M-17-G-S --- Комплектующие для испытательного оборудования ---