HGT1S2N120CN

HGT1S2N120CN
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: HGT1S2N120CN
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 2.6A 1200V N-Ch
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента HGT1S2N120CN
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.05 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 13 A Ток утечки затвор-эмиттер +/- 250 nA
Рассеяние мощности 104 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-262-3 Упаковка Tube
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 13 A Минимальная рабочая температура - 55 C
Вид монтажа Through Hole Размер фабричной упаковки 50
Другие названия товара № HGT1S2N120CN_NL

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
TPS51513EVM-549 TPS51513EVM-549 Texas Instruments Средства разработки интегральных схем (ИС) управления питанием TPS51513EVM-549 Eval Mod ---
CD74HC161MT CD74HC161MT Texas Instruments ИС, счетчики Hi-Sp CMOS 4-Bit Binary w/Sync Reset 9571925.pdf
CD4093BPWG4 CD4093BPWG4 Texas Instruments Вентили (И / И НЕ / ИЛИ / ИЛИ НЕ) CMOS Quad 2-Input NAND Schmitt Triggrs 8255751.pdf
370-LIT312HXP 370-LIT312HXP --- Наборы компонентов ---
19028-0106 19028-0106 --- Инструменты ---