HGT1S7N60A4DS

HGT1S7N60A4DS
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: HGT1S7N60A4DS
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V N-Ch IGBT SMPS Series HF
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента HGT1S7N60A4DS
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.9 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 34 A Ток утечки затвор-эмиттер +/- 250 nA
Рассеяние мощности 125 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-263AB-3 Упаковка Tube
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 34 A Минимальная рабочая температура - 55 C
Вид монтажа SMD/SMT Размер фабричной упаковки 50

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
AP-UM004GL42ES-S AP-UM004GL42ES-S Apacer Твердотельные накопители (SSD) UDM3 LP 180D USB DISK MOD SLC 4GB EXT 1730843.pdf
BF245C BF245C Fairchild Semiconductor JFET N-Channel Transistor 9358281.pdf
CD74HC04M96 CD74HC04M96 Texas Instruments Инвертеры HS CMOS Logic Hex 342781.pdf342831.pdf
IS66WVE4M16BLL-70BLI IS66WVE4M16BLL-70BLI --- Микросхемы памяти ---
AFG3101A3 AFG3101A3 --- Генераторы функций и синтезаторы ---