FGB40N6S2

FGB40N6S2
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: FGB40N6S2
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Sgl 600V N-Ch
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента FGB40N6S2
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.9 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 75 A Ток утечки затвор-эмиттер +/- 250 nA
Рассеяние мощности 290 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-263AB-3 Упаковка Tube
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 75 A Минимальная рабочая температура - 55 C
Вид монтажа SMD/SMT Размер фабричной упаковки 50
Другие названия товара № FGB40N6S2_NL

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
THS6092EVM THS6092EVM Texas Instruments Средства разработки интегральных схем (ИС) усилителей THS6092 Eval Mod ---
TLV320DAC26EVM TLV320DAC26EVM Texas Instruments Средства разработки интегральных схем (ИС) аудиоконтроллеров TLV320DAC26 Eval Mod ---
NB6L11DTG NB6L11DTG ON Semiconductor Тактовый буфер 2.5V/3.3V Multilevel 1:2 Clock / Fanout 6070547.pdf
MAX990EUA+T MAX990EUA+T Maxim Integrated Products ИС, компараторы Dual uPower Comparator 9518606.pdf
74AUP1G00GW,125 74AUP1G00GW,125 NXP Semiconductors Вентили (И / И НЕ / ИЛИ / ИЛИ НЕ) 1.8V SINGLE 2-INPUT 8005556.pdf