SGB10N60
|
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
||
| Название: | SGB10N60 | ||
| Описание: | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FAST IGBT NPT TECH 600V 10A | ||
| Производитель: | Infineon Technologies | ||
| Спецификация: | |||
| Детальное описание компонента SGB10N60 | |||
| Конфигурация | Single | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
|---|---|---|---|
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V | Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка / блок | TO-263-3 | Упаковка | Reel |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 21 A | Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Вид монтажа | SMD/SMT | ||
Популярные товары:
| Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STK-480272C | Amulet Technologies | Средства разработки визуального вывода 4.3" Starter Kit w/ Color Module | 9632164.pdf9632165.pdf |
|
|
 |
DDTC114WCA-7-F | Diodes Inc. | Transistors Switching (Resistor Biased) 200MW 10K 4.7K | 9536853.pdf |
|
|
 |
CD4081BMT | Texas Instruments | Вентили (И / И НЕ / ИЛИ / ИЛИ НЕ) CMOS Quad 2-Input AND Gate | 8197240.pdf |
|
|
 |
MCP73834-B6I/UN | --- | Схемы управления питанием | --- |
|
|
|
|
NJG#1304E-TE1 | --- | RF Semiconductors | --- |
|