HGT1S12N60A4S9A

HGT1S12N60A4S9A
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: HGT1S12N60A4S9A
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V N-Channel IGBT SMPS Series
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация: 9327415.pdf
Детальное описание компонента HGT1S12N60A4S9A
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.7 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 35 A Ток утечки затвор-эмиттер +/- 250 nA
Рассеяние мощности 298 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-263AB-3 Упаковка Reel
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 54 A Минимальная рабочая температура - 55 C
Вид монтажа SMD/SMT Размер фабричной упаковки 800

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
4435.0226 4435.0226 --- Автоматические выключатели ---
QTLP660CRTR QTLP660CRTR --- Светодиодная индикация ---
T191D228M006AS T191D228M006AS --- Конденсаторы ---
RTMN-5030 RTMN-5030 --- Фильтры цепи питания ---
PJRAN1X1U03X PJRAN1X1U03X --- Аудио и видео разъемы ---