HGT1S12N60A4S9A

HGT1S12N60A4S9A
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: HGT1S12N60A4S9A
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V N-Channel IGBT SMPS Series
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация: 9327415.pdf
Детальное описание компонента HGT1S12N60A4S9A
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.7 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 35 A Ток утечки затвор-эмиттер +/- 250 nA
Рассеяние мощности 298 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-263AB-3 Упаковка Reel
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 54 A Минимальная рабочая температура - 55 C
Вид монтажа SMD/SMT Размер фабричной упаковки 800

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
BM88CS38N0A-M15 BM88CS38N0A-M15 Toshiba Эмуляторы / Симуляторы Emulation Pod ---
TL16C550DPT TL16C550DPT Texas Instruments ИС, интерфейс UART Async Communications Element 6117622.pdf
MC74HC132AD MC74HC132AD ON Semiconductor Вентили (И / И НЕ / ИЛИ / ИЛИ НЕ) 2-6V Quad 2-Input ---
DLO1414 DLO1414 --- Светодиодные дисплеи ---
OA109AP-11-3TBR OA109AP-11-3TBR --- Вентиляторы и нагнетатели воздуха ---