HGTP2N120CN

HGTP2N120CN
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: HGTP2N120CN
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 2.6A 1200V N-Ch
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента HGTP2N120CN
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.05 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 13 A Ток утечки затвор-эмиттер +/- 250 nA
Рассеяние мощности 104 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-220AB-3 Упаковка Tube
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 13 A Минимальная рабочая температура - 55 C
Вид монтажа Through Hole Размер фабричной упаковки 400
Другие названия товара № HGTP2N120CN_NL

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
SRP100B-E3/73 SRP100B-E3/73 Vishay Semiconductors Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) 100 Volt 1.0A 100ns 3672937.pdf
585-4121 585-4121 Dialight LED Источники света, не содержащие нитей накаливания BAYONET RED 6V NON-P ---
CAT64LC40JI CAT64LC40JI --- Микросхемы памяти ---
550-0705F 550-0705F --- Светодиодная индикация ---
MM912F634CV1AER2 MM912F634CV1AER2 --- Коммутационные микросхемы ---