HGTP2N120CN

HGTP2N120CN
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: HGTP2N120CN
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 2.6A 1200V N-Ch
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента HGTP2N120CN
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.05 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 13 A Ток утечки затвор-эмиттер +/- 250 nA
Рассеяние мощности 104 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-220AB-3 Упаковка Tube
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 13 A Минимальная рабочая температура - 55 C
Вид монтажа Through Hole Размер фабричной упаковки 400
Другие названия товара № HGTP2N120CN_NL

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
NC7WZ00K8X_Q NC7WZ00K8X_Q Fairchild Semiconductor Вентили (И / И НЕ / ИЛИ / ИЛИ НЕ) UHS 2-Inp NAND Gate 8748621.pdf
GMA7975CA_Q GMA7975CA_Q --- Светодиодные дисплеи ---
LM22672MR-5.0/NOPB LM22672MR-5.0/NOPB --- Схемы управления питанием ---
AMMP-6408-TR2G AMMP-6408-TR2G --- RF Semiconductors ---
ENC1J-D16-L00256 ENC1J-D16-L00256 --- Кодеры ---