STGB12NB60KDT4

STGB12NB60KDT4
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: STGB12NB60KDT4
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Ch 600 Volt 18 Amp
Производитель: STMicroelectronics
Спецификация: 9327069.pdf
Детальное описание компонента STGB12NB60KDT4
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.2 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 30 A Ток утечки затвор-эмиттер +/- 100 nA
Рассеяние мощности 125 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок D2PAK-3 Упаковка Reel
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 30 A Минимальная рабочая температура - 65 C
Вид монтажа SMD/SMT Размер фабричной упаковки 1000

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
AT27LV010A-70JU AT27LV010A-70JU --- Микросхемы памяти ---
HV312NG-M905-G HV312NG-M905-G --- Схемы управления питанием ---
EEV-TG1H100P EEV-TG1H100P --- Конденсаторы ---
EEV-HA1E101UP EEV-HA1E101UP --- Конденсаторы ---
V14E420P V14E420P --- Варисторы ---