STGB12NB60KDT4

STGB12NB60KDT4
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: STGB12NB60KDT4
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Ch 600 Volt 18 Amp
Производитель: STMicroelectronics
Спецификация: 9327069.pdf
Детальное описание компонента STGB12NB60KDT4
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.2 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 30 A Ток утечки затвор-эмиттер +/- 100 nA
Рассеяние мощности 125 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок D2PAK-3 Упаковка Reel
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 30 A Минимальная рабочая температура - 65 C
Вид монтажа SMD/SMT Размер фабричной упаковки 1000

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
DAC8532IDGKRG4 DAC8532IDGKRG4 Texas Instruments ЦАП (цифро-аналоговые преобразователи) 16-Bit Dual Ch Low Power DAC 2172626.pdf
25LC512T-E/SN 25LC512T-E/SN --- Микросхемы памяти ---
UCC3809N-1G4 UCC3809N-1G4 --- Схемы управления питанием ---
VLMY31J1L2-GS08 VLMY31J1L2-GS08 --- Светодиодная индикация ---
PS7122A-2A-A PS7122A-2A-A --- Оптопары и оптроны ---