STGB12NB60KDT4

STGB12NB60KDT4
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: STGB12NB60KDT4
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Ch 600 Volt 18 Amp
Производитель: STMicroelectronics
Спецификация: 9327069.pdf
Детальное описание компонента STGB12NB60KDT4
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.2 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 30 A Ток утечки затвор-эмиттер +/- 100 nA
Рассеяние мощности 125 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок D2PAK-3 Упаковка Reel
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 30 A Минимальная рабочая температура - 65 C
Вид монтажа SMD/SMT Размер фабричной упаковки 1000

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
MUN5233T1G MUN5233T1G ON Semiconductor Transistors Switching (Resistor Biased) 100mA 50V BRT NPN ---
TPS57060QDGQRQ1 TPS57060QDGQRQ1 --- Схемы управления питанием ---
MAX634CSA MAX634CSA --- Схемы управления питанием ---
MC7915ACTG MC7915ACTG --- Схемы управления питанием ---
B57234S0509M000 B57234S0509M000 --- Термисторы – отрицательный температурный коэффициент ---