HGT1N30N60A4D

HGT1N30N60A4D
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: HGT1N30N60A4D
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V N-Channel IGBT SMPS Series
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента HGT1N30N60A4D
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.7 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 96 A Ток утечки затвор-эмиттер +/- 250 nA
Рассеяние мощности 225 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок SOT-227-4 Упаковка Tube
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 96 A Минимальная рабочая температура - 55 C
Вид монтажа SMD/SMT Размер фабричной упаковки 10
Другие названия товара № HGT1N30N60A4D_NL

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
LK202-25-IY LK202-25-IY Matrix Orbital Модули сивольных ЖК-дисплеев и комплектующие Black Background Yellow Text ---
QED423 QED423 Fairchild Semiconductor Инфракрасные излучатели 0.1mW 1.7V IR LED ---
TMS320VC5402ZGU100 TMS320VC5402ZGU100 Texas Instruments Обработчики и контроллеры цифровых сигналов (DSP, DSC) Dig Signal Proc 5799039.pdf
ispLSI 2032E-225LT44 ispLSI 2032E-225LT44 --- Программируемые логические интегральные схемы ---
MAX2265E/D MAX2265E/D --- RF Semiconductors ---