HGT1N30N60A4D

HGT1N30N60A4D
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: HGT1N30N60A4D
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V N-Channel IGBT SMPS Series
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента HGT1N30N60A4D
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.7 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 96 A Ток утечки затвор-эмиттер +/- 250 nA
Рассеяние мощности 225 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок SOT-227-4 Упаковка Tube
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 96 A Минимальная рабочая температура - 55 C
Вид монтажа SMD/SMT Размер фабричной упаковки 10
Другие названия товара № HGT1N30N60A4D_NL

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
OPA2670IRGVT OPA2670IRGVT Texas Instruments Быстродействующие операционные усилители Sgl PortHi Out Crnt VDSL2 Line Driver 635121.pdf
THS4061IDR THS4061IDR Texas Instruments Быстродействующие операционные усилители 180-MHz Hi-Out Drive Voltage-Feedback 1016141.pdf
MAX9505EEE MAX9505EEE Maxim Integrated Products Видеоусилители 2622909.pdf
SN65MLVD205ADG4 SN65MLVD205ADG4 Texas Instruments ИС интерфейса LVDS Full-Duplex M-LVDS Transceiver 7753945.pdf
PT6603M PT6603M --- Схемы управления питанием ---