HGT1N30N60A4D

HGT1N30N60A4D
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: HGT1N30N60A4D
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V N-Channel IGBT SMPS Series
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента HGT1N30N60A4D
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.7 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 96 A Ток утечки затвор-эмиттер +/- 250 nA
Рассеяние мощности 225 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок SOT-227-4 Упаковка Tube
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 96 A Минимальная рабочая температура - 55 C
Вид монтажа SMD/SMT Размер фабричной упаковки 10
Другие названия товара № HGT1N30N60A4D_NL

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
MMO140-12io7 MMO140-12io7 Ixys Дискретные полупроводниковые модули 140 Amps 1200V ---
SC2500-4096 SC2500-4096 --- Микросхемы памяти ---
B41115A6107M B41115A6107M --- Конденсаторы ---
BPX-2-RED BPX-2-RED --- Аудио и видео разъемы ---
DCV8W8SA00LF DCV8W8SA00LF --- Субминиатюрные соединители ---