IKP01N120H2

IKP01N120H2
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: IKP01N120H2
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) HIGH SPEED 2 TECH 1200V 1A
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента IKP01N120H2
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-220-3 Упаковка Tube
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 3.2 A Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа Through Hole Другие названия товара № IKP01N120H2XK IKP01N120H2XKSA1 IKP01N120H2XKSA1, SP000683050,

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
Si5350A-A-GM Si5350A-A-GM Silicon Labs Тактовые генераторы и продукция для поддержки Any-Rate Dual PLL 125MHz Clk 8 outputs 6472704.pdf
HSMS-286F-TR2G HSMS-286F-TR2G --- RF Semiconductors ---
5SRDL 5SRDL --- Светодиодная индикация ---
ILD1615-4X009T ILD1615-4X009T --- Оптопары и оптроны ---
PMC0603-301-RC PMC0603-301-RC --- ЭМП и РЧП ---